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电子元器件详细资料 » IC[27651] » SI4100DY-T1-E3
型号:SI4100DY-T1-E3类别:FET - 单制造商:Vishay Siliconix
封装:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)描述:MOSFET N-CH D-S 100V 8-SOIC

详细参数

类别FET - 单
描述MOSFET N-CH D-S 100V 8-SOIC
系列TrenchFET®
制造商Vishay Siliconix
FET型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点标准
漏极至源极电压(Vdss)100V
电流_连续漏极(Id)0a025000C6.8A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C63 毫欧 @ 4.4A,10V
Id时的Vgs(th)111最大2224.5V @ 250µA
闸电荷(Qg)0a0Vgs20nC @ 10V
输入电容(Ciss)0a0Vds600pF @ 50V
功率_最大6W
安装类型表面贴装
封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装8-SOIC N
包装带卷 (TR)

供应商

深圳市芯脉实业有限公司骆0755-84507209
现代芯城(深圳)科技有限公司董0755-82542579
深圳市励芯恒智能科技有限公司雷先生0755-23487994
深圳市壹芯创科技有限公司朱先生0755-82780082
深圳市百域芯科技有限公司雷小姐075582788062
深圳市恒意法电子有限公司朱小姐 刘小姐18026926850/0755-83247709/0755-83247721
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SI4100DY-T1-E3相关型号

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